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Mpac > データ横断検索 > 検索結果
１．入力したキーワードでの検索結果を、40件ずつ表示しています。
２．矢印の画像は、前年比（前年同期比、前年同週比、前年同月比）の大小を表しています。
95％未満
95～105％未満
105％以上
並び順│キーワード一致│調査時期│金額・数量│前年比
41件が該当しました。1～40件を表示しています。
| No. | 市場調査データ | 調査年 | 市場規模 ／前年比 |
|---|---|---|---|
| 1 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、定電圧ダイオード(ツェナーダイオード)や1Aに満たない小信号デバイス(1A未満)を除いた整流ダイオードを対象とする。当該製品は、整流作用を持つ基本... |
2024 |
××億円 ××％
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| 2 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードを対象とし、小信号デバイス(1A未満)は対象外とする。2023年は、中国の景... |
2024 |
××億円 ××％
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| 3 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、逆回復特性を向上させたPN接合ダイオードを対象とする。整流ダイオードと比較すると、逆回復時間(trr)が小さくなっており、数十kHzや数百kHz等... |
2024 |
××億円 ××％
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| 4 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、接合型のトランジスタを対象とし、ユニポーラトランジスタは対象外とする。当該製品は、スイッチング用途や高い増幅率がある為電流や信号の増幅用途、リニア... |
2024 |
××億円 ××％
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| 5 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、電界効果トランジスタ(FET)に金属酸化膜半導体(MOS)を組み合わせたパワーデバイスのうち、耐圧が200V未満のパワーMOSFETを対象とする。... |
2024 |
××億円 ××％
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| 6 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、電界効果トランジスタ(FET)に金属酸化膜半導体(MOS)を組み合わせたパワーデバイスのうち、耐圧が200V以上のパワーMOSFETを対象とし、耐... |
2024 |
××億円 ××％
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| 7 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 当該デバイスは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとも呼ばれ、入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラ構造のパワーデバイスであり、ディスクリート製品を対... |
2024 |
××億円 ××％
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| 8 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 サイリスタ・トライアックとは、正端子(アノード)、負端子(カソード)に制御端子(ゲート)を付加したパワーデバイスであり、制御端子に電圧を印加する事により電流... |
2024 |
××億円 ××％
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| 9 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、SiCウェーハ上にSBDを形成したパワーデバイスを対象とする。ディスクリートパッケージとして販売されているものを対象とし、IGBTと組み合わせたハ... |
2024 |
××億円 ××％
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| 10 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、SiCウェーハ上にMOSFETを形成したチップを搭載したディスクリート製品を対象とする。Si-MOSFETと比較すると、耐圧が高く、低オン抵抗、高... |
2024 |
××億円 ××％
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| 11 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、GaN(窒化ガリウム)結晶上に素子を形成したデバイス、又パワーデバイスや駆動IC等を同梱したSiP(System in Package)を対象とし... |
2024 |
××億円 ××％
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| 12 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、パワーデバイス向けに外販されるSiCウェーハ(ベアウェーハ)を対象とする。当該製品は、シリコンウェーハの8倍以上の絶縁破壊電界強度を有している事に... |
2024 |
××億円 ××％
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| 13 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 半導体レジストは、ウェーハ上に回路形成を行うフォトリソグラフィー工程で用いられる感光性材料である。パワーデバイスの回路形成は、メモリ等の先端系デバイスの様な... |
2024 |
××億円 ××％
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| 14 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 CMPパッドは、メタルや酸化膜を研磨する際にCMPスラリーと合わせて使用する研磨布である。主に硬質発泡タイプがウェーハ表面の研磨に用いられる。本項では、パワ... |
2024 |
××億円 ××％
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| 15 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 CMPスラリーは、CMP工程で使用する研磨液であり、CMPパッドとウェーハの間にスラリーを充填し、ウェーハを回転させる事で表面の平坦化を行う。本項では、パワ... |
2024 |
××億円 ××％
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| 16 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 ダイボンディングペーストは、リードフレームやセラミック基板等に半導体素子を接合する際に使用され、パワーデバイスの様な導電性が必要となる場合は銀が採用される。... |
2024 |
××億円 ××％
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| 17 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 はんだは、半導体素子をリードフレーム等に接合する際に使用する金属材料であり、工程によって棒はんだ、クリームはんだ、プリフォーム等形状の異なる材料が使い分けら... |
2024 |
××億円 ××％
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| 18 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 当該製品は、銀粒子を主な材料とし、メーカーによってナノ銀、ナノ・マイクロ銀、マイクロ銀が使用されている。本項では、銀粒子のみを使用し、接合時に加圧が必要なも... |
2024 |
××億円 ××％
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| 19 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 封止材料は、半導体素子を外的要因から保護する目的で使用されており、パワーデバイス向けにおいては、ディスクリートや一部のモジュールではエポキシ樹脂、パワーモジ... |
2024 |
××億円 ××％
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| 20 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 金属放熱基板は、アルミ等の金属基板上に絶縁層、回路パターンを形成した基板で、パワーデバイスやLED照明等で採用される。本項では、パワーデバイス向けに展開され... |
2024 |
××億円 ××％
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| 21 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 放熱シートは、シリコーン樹脂等の有機系バインダに熱伝導性フィラーを充填する事で放熱機能を付加した材料である。本項では、パワーデバイス向けに使用される放熱シー... |
2024 |
××億円 ××％
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| 22 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 放熱グリースは、シリコーン等の有機液体に無機系の熱伝導フィラーを充填したオイルコンパウンドである。当該製品は、車載ECU、LEDを始めとする様々なアプリケー... |
2024 |
××億円 ××％
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| 23 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 CMP装置は、ウェーハ表面にCMPパッドを押し付け、そこにCMPスラリーを流す事で、薬液による化学的な作用と研磨粒子や研磨圧等の物理的な採用によって、ウェー... |
2024 |
××億円 ××％
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| 24 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 コータ/デベロッパは、写真と同様の技術を利用したフォトリソグラフィー工程において、半導体レジストの塗布と現像を行う装置である。本項では、パワーデバイス向けに... |
2024 |
××億円 ××％
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| 25 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 露光装置は、コータ/デベロッパで半導体レジストを塗布したウェーハ上に紫外線等の光照射、露光を行い、回路パターンを形成する装置である。本項では、パワーデバイス... |
2024 |
××億円 ××％
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| 26 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 ダイボンダは、ダイシング後の半導体素子から良品を選択・ピックアップし、リードフレーム等に半導体素子を載せる装置である。デバイスの種類によってIC・LSI用、... |
2024 |
××億円 ××％
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| 27 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 ワイヤボンダは、半導体素子とリードフレーム等を金属線で接続する装置であり、金、銅、アルミが使用される。当該装置は、金属線を使用するボールボンダとアルミ等を使... |
2024 |
××億円 ××％
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| 28 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 モールディング装置は、ワイヤボンディング後の半導体をエポキシ系樹脂等でモールド形成する装置であり、半導体素子やボンディングワイヤ等を応力や温度等の外的環境か... |
2024 |
××億円 ××％
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| 29 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 封止材料は、半導体素子を外的環境から保護する目的で使用されており、パワーデバイス向けにおいては、ディスクリートや一部のモジュールではエポキシ樹脂、パワーモジ... |
2024 |
××億円 ××％
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| 30 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、ベース基板にSi基板、エピ層にGaNを使用したGaN on Si基板を使用したデバイスを対象とする。GaN FETは、E-mode HEMTと呼ば... |
2024 |
××億円 ××％
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| 31 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、ベース基板にサファイア基板、エピ層にGaNを成膜したGaN on サファイア基板のパワーデバイスを対象とする。LED用途は対象外とする。基本的なデ... |
2024 |
××億円 ××％
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| 32 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、SiC on SiC基板を使用するSiCパワーデバイスを対象とする。SiC SBD、SiC FETが対象となる。SiC SBDは、金属と半導体の接... |
2024 |
××億円 ××％
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| 33 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、GaAs下地基板を使用したAlGaP on GaAs HBTやGaAs on GaAs HEMTなどのRFデバイスの内、PAモジュールを対象とする... |
2024 |
××億円 ××％
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| 34 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、GaN on SiC RFデバイスのうちPAモジュールを対象とする。ドライバーアンプやLNAなどは対象外とする。Massive MIMOアンテナに... |
2024 |
××億円 ××％
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| 35 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、780nm帯以上の赤外光を光源とするLEDパッケージを対象とする。但し、フォトカプラは製品自体がパッケージとなっているため対象外とする。当該製品の... |
2024 |
××億円 ××％
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| 36 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 紫外光LEDパッケージは、近紫外領域にて発光するLEDパッケージを対象とする。当該製品は、UV-A、UV-B、UV-Cに分類される。UV-Aを325～400... |
2024 |
××億円 ××％
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| 37 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、波長帯域が400～540nm帯近傍の可視光LEDチップを対象とする。なお、TVやノートPC、タブレット、車載ディスプレイなどのバックライト光源とし... |
2024 |
××億円 ××％
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| 38 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、波長帯域が560nm～780nm帯近傍の可視光LEDチップを対象とする。当該製品は、GaAs・GaP系の有色LEDパッケージに主に採用されている。... |
2024 |
××億円 ××％
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| 39 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、780nm帯以上の赤外光を発するLEDチップを対象とする。主な用途は、通信機器やOA機器などに使用されるフォトカプラ、フォトインタラプタ、リモコン... |
2024 |
××億円 ××％
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| 40 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、近紫外領域にて発光するLEDチップを対象とする。近紫外領域において紫外光は、さらにUV-A、UV-B、UV-Cと分類される。UV-Aを325～40... |
2024 |
××億円 ××％
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41件が該当しました。1～40件を表示しています。
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