高耐圧パワーMOSFET

2018年2019年2020年2021年2022年
2023年│2024年

2024年 ××億円(世界市場)

市場規模の推移


販売金額前年比
2021年××
2022年××××
2023年××××
2024年(見)××××
2025年(予)××××

(単位:百万円、%)

将来予測 ××億円(2030年)

本項では、電界効果トランジスタ(FET)に金属酸化膜半導体(MOS)を組み合わせたパワーデバイスのうち、耐圧が200V以上のパワーMOSFETを対象とし、耐圧が200V未満のパワーMOSFETは対象外とする。
当該製品は、600V耐圧の製品が中心であり、従来型のプレーナ型と、オン抵抗を下げながら耐圧を維持する、高効率なスーパージャンクション構造(以下、SJ型)がある。



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メーカーシェア


企業名販売高 見込シェア
Infineon Technologies××××
STMicroelectronics××××
東芝デバイス&ストレージ××××
ON Semiconductor(米国)××××
富士電機××××
士蘭微電子(Silan)(中国)××××
MagnaChip Semiconductor××××
揚傑電子科技(Yangjie)××××
ローム××××
Alpha and Omega Semiconductor××××
その他××××
合計××100

2024年 見込 (単位:百万円、%)

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今後の市場動向





こちらはサンプルです。
有料版は、高耐圧パワーMOSFETの市場動向についてのコメントを表示しています。

指標 評価基準について

指標項目 指標値 評価
市場規模
(2024年)
××億円 ★★★★★★★★☆☆
前年比
(2024/2023年)
94.9 % ★★☆☆☆☆☆☆☆☆
3年平均成長率
(2021-2024年)
5.7 % ★★★★★★★☆☆☆
長期平均成長率
(2021-2030年)
5.3 % ★★★★★★★☆☆☆
予測平均成長率
(2024-2030年)
5.1 % ★★★★★★★☆☆☆


出典:富士経済「2024年版 次世代パワーデバイス&パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」2024年2月14日刊

Mpac掲載:2025/1/20