GaNパワーデバイス

2018年2019年2020年2021年2022年
2023年│2024年

2024年 ××億円(世界市場)

市場規模の推移


販売金額前年比
2021年××
2022年××××
2023年××××
2024年(見)××××
2025年(予)××××

(単位:百万円、%)

将来予測 ××億円(2030年)

本項では、GaN(窒化ガリウム)結晶上に素子を形成したデバイス、又パワーデバイスや駆動IC等を同梱したSiP(System in Package)を対象とし、基地局等の通信領域で採用されているGaN RFデバイスは対象外とする。
当該製品は、高速スイッチングが可能である為、電源回路の小型化が実現できる。



こちらはサンプルです。コメントの一部を表示しています。
有料版は、GaNパワーデバイスの定義・市場規模についてのコメントを表示しています。

メーカーシェア


企業名販売高 見込シェア
Navitas Semiconductor(米国)××××
Innoscience(中国)××××
Transphorm(米国)××××
Efficient Power Conversion(米国)××××
Infineon Technologies(ドイツ)××××
Power Integrations(米国)××××
その他××××
合計××100

2024年 見込 (単位:百万円、%)

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今後の市場動向





こちらはサンプルです。
有料版は、GaNパワーデバイスの市場動向についてのコメントを表示しています。

指標 評価基準について

指標項目 指標値 評価
市場規模
(2024年)
××億円 ★★★☆☆☆☆☆☆☆
前年比
(2024/2023年)
128.4 % ★★★★★★★★☆☆
3年平均成長率
(2021-2024年)
48.9 % ★★★★★★★★★☆
長期平均成長率
(2021-2030年)
51.0 % ★★★★★★★★★★
予測平均成長率
(2024-2030年)
52.1 % ★★★★★★★★★★


出典:富士経済「2024年版 次世代パワーデバイス&パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」2024年2月14日刊

Mpac掲載:2025/1/20