市場規模の推移
年 | 販売金額 | 前年比 |
---|---|---|
2020年 | ×× | - |
2021年 | ×× | ×× |
2022年 | ×× | ×× |
2023年(見) | ×× | ×× |
2024年(予) | ×× | ×× |
(単位:百万円、%)
- 将来予測 ××億円(2030年)
-
本項では、GaN-HEMTやGaN-MOSFETを中心としたGaNパワーデバイスを対象とし、基地局等の通信領域で採用されるGaN RFデバイスは対象外とする。
当該製品は、SiCパワーデバイスよりもスイッチング性能に優れており、電源回路の小型化や高効率化を実現できるデバイスである。
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今後の市場動向
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指標 (評価基準について)
指標項目 | 指標値 | 評価 |
---|---|---|
市場規模 (2023年) |
××億円 | ★★★☆☆☆☆☆☆☆ |
前年比 (2023/2022年) |
132.6 % | ★★★★★★★★★☆ |
3年平均成長率 (2020-2023年) |
29.4 % | ★★★★★★★★☆☆ |
長期平均成長率 (2020-2030年) |
28.1 % | ★★★★★★★★☆☆ |
予測平均成長率 (2023-2030年) |
27.6 % | ★★★★★★★★☆☆ |
出典:富士経済「2023年版 次世代パワーデバイス&パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」2023年3月3日刊
Mpac掲載:2024/2/16