市場規模の推移
| 年 | 販売金額 | 前年比 |
|---|---|---|
| 2019年 | ×× | － |
| 2020年 | ×× | ×× |
| 2021年 | ×× | ×× |
| 2022年（見） | ×× | ×× |
| 2023年（予） | ×× | ×× |
(単位：百万円、％)
- 将来予測 ××億円（2030年）
-
本項では、GaN-HEMTやGaN-MOSFETを中心としたGaNパワートランジスタを対象とし、基地局等の通信領域で採用されるGaN RFデバイスは対象外とする。
当該デバイスは、SiCパワーデバイスよりもスイッチング性能に優れており、電源回路の小型化や高効率化を実現できるデバイスである。
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有料版は、GaNパワーデバイスの定義・市場規模についてのコメントを表示しています。
メーカーシェア
| 企業名 | ||
|---|---|---|
| Transphorm（米国） | ×× | ×× |
| Efficient Power Conversion（米国） | ×× | ×× |
| GaN Systems | ×× | ×× |
| Navitas Semiconductor（米国） | ×× | ×× |
| Innoscience | ×× | ×× |
| Power Integrations | ×× | ×× |
| Infineon Technologies（ドイツ） | ×× | ×× |
| その他 | ×× | ×× |
| 合計 | ×× | 100 |
2022年 見込 (単位：百万円、％)
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今後の市場動向
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有料版は、GaNパワーデバイスの市場動向についてのコメントを表示しています。
指標 （評価基準について）
| 指標項目 | 指標値 | 評価 |
|---|---|---|
| 市場規模 (2022年) |
××億円 | ★★☆☆☆☆☆☆☆☆ |
| 前年比 (2022/2021年) |
123.9 ％ | ★★★★★★★★☆☆ |
| ３年平均成長率 (2019-2022年) |
19.5 ％ | ★★★★★★★★☆☆ |
| 長期平均成長率 (2019-2030年) |
26.4 ％ | ★★★★★★★★☆☆ |
| 予測平均成長率 (2022-2030年) |
29.2 ％ | ★★★★★★★★☆☆ |
出典：富士経済「２０２２年版 次世代パワーデバイス＆パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」2022年3月10日刊
Mpac掲載：2023/2/20
