市場規模の推移
| 年 | 販売金額 | 前年比 |
|---|---|---|
| 2015年 | ×× | － |
| 2016年 | ×× | ×× |
| 2017年 | ×× | ×× |
| 2018年（見） | ×× | ×× |
| 2019年（予） | ×× | ×× |
(単位：百万円、％)
- 将来予測 ××億円（2030年）
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本項では、GaN-HEMTやGaN-MOSFETを中心としたGaN系トランジスタとGaN-SBD市場を含めたGaNパワーデバイスを対象とする。
当該製品は、SiCパワーデバイスよりもスイッチング性能に優れている。
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こちらはサンプルです。コメントの一部を表示しています。
有料版は、GaNパワーデバイスの定義・市場規模についてのコメントを表示しています。
メーカーシェア
| 企業名 | ||
|---|---|---|
| Transphorm（米国） | ×× | ×× |
| Efficient Power Conversion（米国） | ×× | ×× |
| Infineon Technologies（ドイツ） | ×× | ×× |
| GaN Systems(カナダ) | ×× | ×× |
| その他 | ×× | ×× |
| 合計 | ×× | 100 |
2018年 見込 (単位：百万円、％)
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今後の市場動向
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こちらはサンプルです。
有料版は、GaNパワーデバイスの市場動向についてのコメントを表示しています。
指標 （評価基準について）
| 指標項目 | 指標値 | 評価 |
|---|---|---|
| 市場規模 (2018年) |
××億円 | ★☆☆☆☆☆☆☆☆☆ |
| 前年比 (2018/2017年) |
133.3 ％ | ★★★★★★★★★☆ |
| ３年平均成長率 (2015-2018年) |
36.2 ％ | ★★★★★★★★★☆ |
| 長期平均成長率 (2015-2030年) |
38.8 ％ | ★★★★★★★★★☆ |
| 予測平均成長率 (2018-2030年) |
39.5 ％ | ★★★★★★★★★☆ |
出典：富士経済「2018年版 次世代パワーデバイス&パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」2018年2月8日刊
Mpac掲載：2019/7/31
