市場規模の推移
| 年 | 販売金額 | 前年比 |
|---|---|---|
| 2021年 | － | － |
| 2022年 | － | － |
| 2023年 | ×× | － |
| 2024年（見） | ×× | ×× |
| 2025年（予） | ×× | ×× |
(単位：百万円、％)
- 将来予測 ××億円（2031年）
-
本項では、ベース基板にSi基板、エピ層にGaNを使用したGaN on Si基板を使用したデバイスを対象とする。
GaN FETは、E-mode HEMTと呼ばれるQrr(逆方向回復電荷)がゼロでリカバリー損失がないという特長の単体ノーマリーオフ型(E-mode動作)、カスコードによるD-mode GaN、GIT(Gate Injection Transistor)Siの三つのタイプに大別される。
…
こちらはサンプルです。コメントの一部を表示しています。
有料版は、GaN on Si パワーの定義・市場規模についてのコメントを表示しています。
メーカーシェア
| 企業名 | ||
|---|---|---|
| Navitas Semiconductor（米国） | ×× | ×× |
| Innoscience(中国) | ×× | ×× |
| Efficient Power Conversion（米国） | ×× | ×× |
| Infineon Technologies（ドイツ） | ×× | ×× |
| ルネサスエレクトロニクス | ×× | ×× |
| その他 | ×× | ×× |
| 合計 | ×× | 100 |
2024年 見込 (単位：千個、％)
-
【Mpac一括契約のご案内】
今後の市場動向
-
…
こちらはサンプルです。
有料版は、GaN on Si パワーの市場動向についてのコメントを表示しています。
指標 （評価基準について）
| 指標項目 | 指標値 | 評価 |
|---|---|---|
| 市場規模 (2024年) |
××億円 | ★★★★☆☆☆☆☆☆ |
| 前年比 (2024/2023年) |
133.3 ％ | ★★★★★★★★★☆ |
| ３年平均成長率 (2021-2024年) |
－ ％ | － |
| 長期平均成長率 (2021-2031年) |
－ ％ | － |
| 予測平均成長率 (2024-2031年) |
22.3 ％ | ★★★★★★★★☆☆ |
出典：富士キメラ総研「２０２５ 化合物半導体関連市場の現状と将来展望」2024年12月20日刊
Mpac掲載：2025/11/20
