市場規模の推移
| 年 | 販売金額 | 前年比 |
|---|---|---|
| 2021年 | ×× | － |
| 2022年 | ×× | ×× |
| 2023年 | ×× | ×× |
| 2024年（見） | ×× | ×× |
| 2025年（予） | ×× | ×× |
(単位：百万円、％)
- 将来予測 ××億円（2030年）
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当該デバイスは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとも呼ばれ、入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラ構造のパワーデバイスであり、ディスクリート製品を対象とする。尚、IGBTモジュールは対象外とする。
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メーカーシェア
| 企業名 | ||
|---|---|---|
| Infineon Technologies（ドイツ） | ×× | ×× |
| ON Semiconductor（米国） | ×× | ×× |
| STMicroelectronics（スイス） | ×× | ×× |
| 富士電機 | ×× | ×× |
| 士蘭微電子(Silan)(中国) | ×× | ×× |
| ローム | ×× | ×× |
| 揚傑電子科技(Yangjie)(中国) | ×× | ×× |
| ルネサス エレクトロニクス | ×× | ×× |
| 東芝デバイス＆ストレージ | ×× | ×× |
| その他 | ×× | ×× |
| 合計 | ×× | 100 |
2024年 見込 (単位：百万円、％)
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今後の市場動向
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有料版は、IGBTディスクリートの市場動向についてのコメントを表示しています。
指標 （評価基準について）
| 指標項目 | 指標値 | 評価 |
|---|---|---|
| 市場規模 (2024年) |
××億円 | ★★★★★★★☆☆☆ |
| 前年比 (2024/2023年) |
94.1 ％ | ★★☆☆☆☆☆☆☆☆ |
| ３年平均成長率 (2021-2024年) |
4.3 ％ | ★★★★★★☆☆☆☆ |
| 長期平均成長率 (2021-2030年) |
5.6 ％ | ★★★★★★★☆☆☆ |
| 予測平均成長率 (2024-2030年) |
6.2 ％ | ★★★★★★★☆☆☆ |
出典：富士経済「２０２４年版 次世代パワーデバイス＆パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」2024年2月14日刊
Mpac掲載：2025/1/20
