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Mpac > データ横断検索 > 検索結果
１．入力したキーワードでの検索結果を、40件ずつ表示しています。
２．矢印の画像は、前年比（前年同期比、前年同週比、前年同月比）の大小を表しています。
95％未満
95～105％未満
105％以上
並び順│キーワード一致│調査時期│金額・数量│前年比
59件が該当しました。41～59件を表示しています。
| No. | 市場調査データ | 調査年 | 市場規模 ／前年比 |
|---|---|---|---|
| 41 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 フォトレジストは、半導体素子にパターニングするためのフォトリソグラフィー工程で使用される感光性材料である。フォトレジストは使用される光線の波長によって分類さ... |
2023 |
××億円 ××％
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| 42 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 フォトレジストは、半導体素子にパターニングするためのフォトリソグラフィー工程で使用される感光性材料である。フォトレジストは使用される光線の波長によって分類さ... |
2023 |
××億円 ××％
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| 43 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 フォトレジストは、半導体素子にパターニングするためのフォトリソグラフィー工程で使用される感光性材料である。フォトレジストは使用される光線の波長によって分類さ... |
2023 |
××億円 ××％
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| 44 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 バッファコート膜は、半導体の前工程で形成した回路が、後工程中にダメージを受けないよう防止したり、チップ実装後に封止材とシリコンとの熱膨張係数の違いによるクラ... |
2017 |
××億円 ××％
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| 45 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 再配線材料は、主にWLPの再配線層を形成する為の絶縁層向け材料として採用される。本項では後工程で使用するFCやWLPの再配線材料を対象とする。当該品の用途は... |
2017 |
××億円 ××％
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| 46 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 バッファコートは、半導体の前工程で形成した回路が後工程中にダメージを受けない為の保護やチップ実装後に封止材とシリコンのクラック発生を抑制する表面保護部材であ... |
2023 |
××億円 ××％
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| 47 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、シリコーン樹脂を使用したパワーモジュール向けの封止材としてシリコーンゲルを対象とする。シリコーンゲルは衝撃吸収性、防振性、低弾性率等に特長があり、... |
2017 |
××億円 ××％
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| 48 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、ベース基板にSi基板、エピ層にGaNを使用したGaN on Si基板を使用したデバイスを対象とする。GaN FETは、E-mode HEMTと呼ば... |
2024 |
××億円 ××％
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| 49 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、ベース基板にサファイア基板、エピ層にGaNを成膜したGaN on サファイア基板のパワーデバイスを対象とする。LED用途は対象外とする。基本的なデ... |
2024 |
××億円 ××％
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| 50 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、SiC on SiC基板を使用するSiCパワーデバイスを対象とする。SiC SBD、SiC FETが対象となる。SiC SBDは、金属と半導体の接... |
2024 |
××億円 ××％
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| 51 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、GaAs下地基板を使用したAlGaP on GaAs HBTやGaAs on GaAs HEMTなどのRFデバイスの内、PAモジュールを対象とする... |
2024 |
××億円 ××％
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| 52 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、GaN on SiC RFデバイスのうちPAモジュールを対象とする。ドライバーアンプやLNAなどは対象外とする。Massive MIMOアンテナに... |
2024 |
××億円 ××％
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| 53 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、780nm帯以上の赤外光を光源とするLEDパッケージを対象とする。但し、フォトカプラは製品自体がパッケージとなっているため対象外とする。当該製品の... |
2024 |
××億円 ××％
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| 54 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 紫外光LEDパッケージは、近紫外領域にて発光するLEDパッケージを対象とする。当該製品は、UV-A、UV-B、UV-Cに分類される。UV-Aを325～400... |
2024 |
××億円 ××％
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| 55 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、波長帯域が400～540nm帯近傍の可視光LEDチップを対象とする。なお、TVやノートPC、タブレット、車載ディスプレイなどのバックライト光源とし... |
2024 |
××億円 ××％
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| 56 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、波長帯域が560nm～780nm帯近傍の可視光LEDチップを対象とする。当該製品は、GaAs・GaP系の有色LEDパッケージに主に採用されている。... |
2024 |
××億円 ××％
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| 57 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、780nm帯以上の赤外光を発するLEDチップを対象とする。主な用途は、通信機器やOA機器などに使用されるフォトカプラ、フォトインタラプタ、リモコン... |
2024 |
××億円 ××％
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| 58 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、近紫外領域にて発光するLEDチップを対象とする。近紫外領域において紫外光は、さらにUV-A、UV-B、UV-Cと分類される。UV-Aを325～40... |
2024 |
××億円 ××％
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| 59 |
電子部品・電子材料 > 半導体・関連材料 本項では、波長帯として900～1,700nm帯(SWIR)および1,700～2,500nm帯域近傍(おおむね2,350～2,550nm帯、eSWIR)までの... |
2024 |
××億円 ××％
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59件が該当しました。41～59件を表示しています。
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