市場規模の推移
年 | 販売金額 | 前年比 |
---|---|---|
2017年 | - | - |
2018年 | - | - |
2019年 | ×× | - |
2020年(見) | ×× | ×× |
2021年(予) | ×× | ×× |
(単位:百万円、%)
- 将来予測 ××億円(2030年)
-
MOSFETは、ゲート絶縁酸化膜を金属とトランジスタで挟んだ構造を持ち、ゲート電圧を印加して反転層を形成し、これをチャンネルとして電流のオン、オフを行うスイッチング素子である。
IPD(インテリジェントパワーデバイス)は、低オン抵抗MOSFETと各種の保護回路をワンチップに集積させた半導体素子で、過熱、過電流、過電圧、及び負荷短絡に対して保護する役割を担っている。
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今後の市場動向
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指標 (評価基準について)
指標項目 | 指標値 | 評価 |
---|---|---|
市場規模 (2020年) |
××億円 | ★★★★★★★★☆☆ |
前年比 (2020/2019年) |
84.0 % | ★☆☆☆☆☆☆☆☆☆ |
3年平均成長率 (2017-2020年) |
- % | - |
長期平均成長率 (2017-2030年) |
- % | - |
予測平均成長率 (2020-2030年) |
6.9 % | ★★★★★★★☆☆☆ |
出典:富士キメラ総研「車載電装デバイス&コンポーネンツ総調査 2021 (下巻) <ECU関連デバイス編>」2021年3月3日刊
Mpac掲載:2022/2/18