市場規模の推移
| 年 | 販売金額 | 前年比 |
|---|---|---|
| 2015年 | － | － |
| 2016年 | － | － |
| 2017年 | ×× | － |
| 2018年（見） | ×× | ×× |
| 2019年（予） | ×× | ×× |
(単位：百万円、％)
- 将来予測 ××億円（2025年）
-
MOSFETは、ゲート絶縁酸化膜を金属とトランジスタで挟んだ構造を持ち、ゲート電圧を印加して反転層を形成し、これをチャンネルとして電流のオン、オフを行うスイッチング素子である。
低オン抵抗MOSFETと各種の保護回路をワンチップに集積させた半導体素子をIPD（インテリジェントパワーデバイス）といい、過熱、過電流、過電圧、負荷短絡に対して保護する役割を担っている。
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有料版は、MOSFET/IPDの定義・市場規模についてのコメントを表示しています。
メーカーシェア
| 企業名 | ||
|---|---|---|
| Infineon（ドイツ） | ×× | ×× |
| ON Semiconductor（米国） | ×× | ×× |
| ルネサスエレクトロニクス | ×× | ×× |
| Vishay（米国） | ×× | ×× |
| STMicroelectronics（スイス） | ×× | ×× |
| その他 | ×× | ×× |
| 合計 | ×× | 100 |
2018年 見込 (単位：千個、％)
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今後の市場動向
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こちらはサンプルです。
有料版は、MOSFET/IPDの市場動向についてのコメントを表示しています。
指標 （評価基準について）
| 指標項目 | 指標値 | 評価 |
|---|---|---|
| 市場規模 (2018年) |
××億円 | ★★★★★★★★★☆ |
| 前年比 (2018/2017年) |
103.6 ％ | ★★★★★★☆☆☆☆ |
| ３年平均成長率 (2015-2018年) |
－ ％ | － |
| 長期平均成長率 (2015-2025年) |
－ ％ | － |
| 予測平均成長率 (2018-2025年) |
5.9 ％ | ★★★★★★★☆☆☆ |
出典：富士キメラ総研「車載電装デバイス&コンポーネンツ総調査 2019 (下巻)」2019年3月6日刊
Mpac掲載：2020/2/20
