市場規模の推移
年 | 販売金額 | 前年比 |
---|---|---|
2016年 | ×× | - |
2017年 | ×× | ×× |
2018年 | ×× | ×× |
2019年(見) | ×× | ×× |
2020年(予) | ×× | ×× |
(単位:百万円、%)
- 将来予測 ××億円(2030年)
-
本項では、SiC系のパワーMOSFETのスイッチングデバイスを搭載したパワーデバイスで、SiC-FET単体のほか、パワーモジュールメーカー向けのチップ供給分を含めて対象とする。また、バイポーラ系デバイスのSiC-BJT(Bipolar Junction Transistor)はユニポーラ系デバイスと異なるが、当該市場の対象とする。
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今後の市場動向
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指標 (評価基準について)
指標項目 | 指標値 | 評価 |
---|---|---|
市場規模 (2019年) |
××億円 | ★★★★☆☆☆☆☆☆ |
前年比 (2019/2018年) |
164.5 % | ★★★★★★★★★★ |
3年平均成長率 (2016-2019年) |
72.9 % | ★★★★★★★★★★ |
長期平均成長率 (2016-2030年) |
38.6 % | ★★★★★★★★★☆ |
予測平均成長率 (2019-2030年) |
30.5 % | ★★★★★★★★★☆ |
出典:富士経済「2019年版 次世代パワーデバイス&パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」2019年2月13日刊
Mpac掲載:2020/1/20