市場規模の推移
| 年 | 販売金額 | 前年比 |
|---|---|---|
| 2003年 | － | － |
| 2004年 | ×× | － |
| 2005年 | ×× | ×× |
| 2006年（見） | ×× | ×× |
| 2007年（予） | ×× | ×× |
(単位：百万円、％)
- 将来予測 ××億円（2011年）
-
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)はMOSFETとBipolar Transistorを組み合わせた内部構造を有し、パワーMOSFETと類似した特性を持つ。パワーMOSFETと比較して、速度は遅いが高耐圧で電力損失が少ないメリットがある。
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こちらはサンプルです。コメントの一部を表示しています。
有料版は、絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）の定義・市場規模についてのコメントを表示しています。
メーカーシェア
| 企業名 | ||
|---|---|---|
| 三菱電機 | ×× | ×× |
| STマイクロエレクトロニクス（スイス） | ×× | ×× |
| 東芝 | ×× | ×× |
| Eupec（ドイツ） | ×× | ×× |
| IR（米国） | ×× | ×× |
| その他 | ×× | ×× |
| 合計 | ×× | 100 |
2006年 見込 (単位：千個、％)
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今後の市場動向
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こちらはサンプルです。
有料版は、絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）の市場動向についてのコメントを表示しています。
指標 （評価基準について）
| 指標項目 | 指標値 | 評価 |
|---|---|---|
| 市場規模 (2006年) |
××億円 | ★★★★★★★☆☆☆ |
| 前年比 (2006/2005年) |
105.8 ％ | ★★★★★★★☆☆☆ |
| ３年平均成長率 (2003-2006年) |
－ ％ | － |
| 長期平均成長率 (2003-2011年) |
－ ％ | － |
| 予測平均成長率 (2006-2011年) |
4.6 ％ | ★★★★★★☆☆☆☆ |
出典：富士キメラ総研「2007 有望電子部品材料調査総覧（下巻）」2007年2月7日刊
Mpac掲載：2008/9/15
