絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)

2006年

2006年 ××億円(世界市場)

市場規模の推移


販売金額前年比
2003年
2004年××
2005年××××
2006年(見)××××
2007年(予)××××

(単位:百万円、%)

将来予測 ××億円(2011年)

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)はMOSFETとBipolar Transistorを組み合わせた内部構造を有し、パワーMOSFETと類似した特性を持つ。パワーMOSFETと比較して、速度は遅いが高耐圧で電力損失が少ないメリットがある。



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有料版は、絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)の定義・市場規模についてのコメントを表示しています。

メーカーシェア


企業名販売高 見込シェア
三菱電機××××
STマイクロエレクトロニクス(スイス)××××
東芝××××
Eupec(ドイツ)××××
IR(米国)××××
その他××××
合計××100

2006年 見込 (単位:千個、%)

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今後の市場動向





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有料版は、絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)の市場動向についてのコメントを表示しています。

指標 評価基準について

指標項目 指標値 評価
市場規模
(2006年)
××億円 ★★★★★★★☆☆☆
前年比
(2006/2005年)
105.8 % ★★★★★★★☆☆☆
3年平均成長率
(2003-2006年)
- %
長期平均成長率
(2003-2011年)
- %
予測平均成長率
(2006-2011年)
4.6 % ★★★★★★☆☆☆☆


出典:富士キメラ総研「2007 有望電子部品材料調査総覧(下巻)」2007年2月7日刊

Mpac掲載:2008/9/15