市場規模の推移
| 年 | 販売金額 | 前年比 |
|---|---|---|
| 2020年 | ×× | － |
| 2021年 | ×× | ×× |
| 2022年 | ×× | ×× |
| 2023年（見） | ×× | ×× |
| 2024年（予） | ×× | ×× |
(単位：百万円、％)
- 将来予測 ××億円（2030年）
-
本項では、GaN-HEMTやGaN-MOSFETを中心としたGaNパワーデバイスを対象とし、基地局等の通信領域で採用されるGaN RFデバイスは対象外とする。
当該製品は、SiCパワーデバイスよりもスイッチング性能に優れており、電源回路の小型化や高効率化を実現できるデバイスである。
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有料版は、GaNパワーデバイスの定義・市場規模についてのコメントを表示しています。
メーカーシェア
| 企業名 | ||
|---|---|---|
| Efficient Power Conversion（米国） | ×× | ×× |
| Transphorm（米国） | ×× | ×× |
| Navitas Semiconductor（米国） | ×× | ×× |
| GaN Systems(カナダ) | ×× | ×× |
| Innoscience(中国) | ×× | ×× |
| Power Integrations(米国) | ×× | ×× |
| Infineon Technologies（ドイツ） | ×× | ×× |
| その他 | ×× | ×× |
| 合計 | ×× | 100 |
2023年 見込 (単位：百万円、％)
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今後の市場動向
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こちらはサンプルです。
有料版は、GaNパワーデバイスの市場動向についてのコメントを表示しています。
指標 （評価基準について）
| 指標項目 | 指標値 | 評価 |
|---|---|---|
| 市場規模 (2023年) |
××億円 | ★★★☆☆☆☆☆☆☆ |
| 前年比 (2023/2022年) |
132.6 ％ | ★★★★★★★★★☆ |
| ３年平均成長率 (2020-2023年) |
29.4 ％ | ★★★★★★★★☆☆ |
| 長期平均成長率 (2020-2030年) |
28.1 ％ | ★★★★★★★★☆☆ |
| 予測平均成長率 (2023-2030年) |
27.6 ％ | ★★★★★★★★☆☆ |
出典：富士経済「２０２３年版 次世代パワーデバイス＆パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」2023年3月3日刊
Mpac掲載：2024/2/16
